| 符合条件的23条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2017102539621 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法 功能材料 复合薄膜 半导体材料 磁性材料 （功能材料 2人 |
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发明 2022100549121 用于光电阴极保护的复合膜及其制备方法和应用 1人 |
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发明 2022102048086 一种S型异质结复合光阳极膜及其制备方法和应用 1人 |
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发明 201610890214X 一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法 采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 1人 |
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发明 2018110880561 一种具有电阻开关效应的BFO基超晶格/LSMO复合薄膜及其制备方法 1人 |
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发明 2018114966769 一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2018110880608 一种具有电阻开关效应的BEFMO/ZCO复合异质结及其制备方法 1人 |
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发明 201811088099X 一种具有电阻开关效应的La、Er、Co、Mn共掺的BFO薄膜及其制备方法 1人 |
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发明 201710254712X 一种LaSrMnCo/GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2017102559837 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2017101143843 一种具有光响应特性的磷酸铋薄膜及其制备方法和应用 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 C03C17/34 C02F1/30 B01J27/186 B01J35/02 C01B25/26 C02F101/30 |
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发明 2017102539462 一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2017102539477 一种HoSrMnNi共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2017102539636 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2017102543260 一种HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 201710254342X 一种GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2017102547045 一种LaSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2016101881551 一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97-xMn0.03CuxO3-CuFe2O4复合膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2016102012407 一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 1人 |
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发明 2020112696743 一种无机全固态电致变色器件及其制备方法 电致变色玻璃 显示器 光学器件 【电致变色玻璃 显示器 光学器件】 1人 |
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