符合条件的5条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2017105023709 一种单分散yolk-shell结构二硫化钼微球的制备方法

1人

C01G39/06

已下证 学校

发明 2020100274882 一种二硫化钼微胶囊的制备方法、镁离子电池正极、镁离子电池

1人

C01G39/06 C01B32/05 H01M4/36 H01M4/58 H01M4/62 H01M10/054

已下证 学校

发明 2023101063810 一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法(半导体纳米材料 二硫化钼 芯片 电路板 集成电力 pcb板)

【半导体纳米材料 二硫化钼 芯片 电路板 集成电力 pcb板】提了 2人

C01G39/06 B82Y40/00

已下证 个人

发明 2019100850583 一种中空MoS2微球的制备方法及其应用

高校已变 光催化 光学 电学 磁学 力学 纳米材料 金属硫化物 1人

C01G39/06 B01J20/02 B01J20/30 B01J27/051

已下证 学校

发明 2021100912962 一种氮掺杂多孔碳负载MoS2纳米花的电极材料及制法

锂电池 电池材料 新能源 储能 (锂电池 2人

C01B32/05 C01G39/06 H01M4/58 H01M4/62 H01M10/0525

已下证 企业