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发明 2015104049172 SiC纳米阵列

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

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发明 2015104040125 调控SiC纳米阵列密度的方法

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

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发明 2015105106793 P掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用

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H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00 B82Y40/00

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