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H10N52
H10
H10N
H10N52/01
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1
条专利数据
专利状态
申请人类型
缴费截止日
授权年
更新时间
发明
2020111313166
一种霍尔传感器及其制作方法
半导体
芯片
磁场传感器
电压传感器
磁电效应
1人
H10N52/00
H10N52/80
H10N52/01
G01D5/14
已下证
企业