| 符合条件的2条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2024119571728 一种碳化硅生产工艺 半导体材料 耐火材料 耐磨内衬材料 绿色制造 烧结工艺 2人 |
未下证 | 企业 | ||||
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发明 2020111091705 一种新材料用硅晶体提纯设备【特价】【无收据】 硅晶体 硅晶体提纯 半导体材料 新材料 【硅晶体 硅晶体提纯 半导体材料 新材料】 1人 B02C19/00 B02C23/08 B02C23/00 B07B1/28 B07B1/42 B07B1/46 C01B33/037 B08B7/02 |
已下证 | 企业 |
